丝印：86336D；Package：VSON-CLIP；CSD86336Q3D Synchronous Buck NexFET™ Power Block

1 Features 1• Half-Bridge Power Block • 93.0% System Efficiency at 12 A • Up to 20-A Operation • High-Frequency Operation (up to 1.5 MHz) • High-Density SON 3.3-mm × 3.3-mm Footprint • Optimized for 5-V Gate Drive • Low-Switching Losses • Ultra-Low-Inductance Package • RoHS Compliant

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1 Features 1• Half-Bridge Power Block • 93.0% System Efficiency at 12 A • Up to 20-A Operation • High-Frequency Operation (up to 1.5 MHz) • High-Density SON 3.3-mm × 3.3-mm Footprint • Optimized for 5-V Gate Drive • Low-Switching Losses • Ultra-Low-Inductance Package • RoHS Compliant

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丝印：86336D；Package：VSON-CLIP；CSD86336Q3D Synchronous Buck NexFET™ Power Block

1 Features 1• Half-Bridge Power Block • 93.0% System Efficiency at 12 A • Up to 20-A Operation • High-Frequency Operation (up to 1.5 MHz) • High-Density SON 3.3-mm × 3.3-mm Footprint • Optimized for 5-V Gate Drive • Low-Switching Losses • Ultra-Low-Inductance Package • RoHS Compliant

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采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。 • 半桥电源块\n• 12A 电流下系统效率高达 93.0%\n• 工作电流高达 20A\n• 高频工作（高达 1.5MHz）\n• 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装\n• 针对 5V 栅极驱动进行了优化\n• 开关损耗较低\n• 超低电感封装\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 无铅引脚镀层;

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