CSD85302L数据手册TI中文资料规格书
CSD85302L规格书详情
描述 Description
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
特性 Features
• 共漏极配置
• 低导通电阻
• 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
• 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
应用 Application
USBType-C/PD
电池管理
电池保护
技术参数
- 制造商编号
:CSD85302L
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Dual Common Drain
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:24
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:37
- QG typ (nC)
:6
- QGD typ (nC)
:1.4
- Package (mm)
:LGA 1.35x1.35mm
- VGS (V)
:10
- VGSTH typ (V)
:0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:7
- ID - package limited (A)
:7
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
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PICOSTAR-4 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
4-XFLGA |
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