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CSD85302L数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD85302L

功能描述

采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 17:06:00

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CSD85302L规格书详情

描述 Description

这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

特性 Features

• 共漏极配置
• 低导通电阻
• 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
• 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV

应用 Application

USBType-C/PD
电池管理
电池保护

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD85302L

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Dual Common Drain

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :24

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :37

  • QG typ (nC)

    :6

  • QGD typ (nC)

    :1.4

  • Package (mm)

    :LGA 1.35x1.35mm

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :0.9

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :7

  • ID - package limited (A)

    :7

  • Logic level

    :Yes

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