CSD85302L中文资料采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD85302L规格书详情
描述 Description
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
特性 Features
• 共漏极配置
• 低导通电阻
• 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
• 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
应用 Application
USBType-C/PD
电池管理
电池保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD85302L
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Dual Common Drain
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：24
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：37
- QG typ (nC)
：6
- QGD typ (nC)
：1.4
- Package (mm)
：LGA 1.35x1.35mm
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：7
- ID - package limited (A)
：7
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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