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CSD87334Q3D中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块数据手册TI规格书
CSD87334Q3D规格书详情
描述 Description
CSD87334Q3D NexFET™电源块是面向同步降压和升压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与外部控制器或驱动器配合使用时, 可在高占空比应用中 提供灵活的解决方案
特性 Features
• 半桥电源块
• 针对高占空比进行了优化
• 输入电压高达 24V
• 12A 电流时系统效率达 96.1%
• 12A 电流时,PLoss 为 1.6W
• 工作电流高达 20A
• 高频工作(高达 1.5MHz)
• 高密度 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 开关损耗较低
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 无铅引脚镀层
技术参数
- 制造商编号
:CSD87334Q3D
- 生产厂家
:TI
- VDS (V)
:30
- Power loss (W)
:1.6
- Ploss current (A)
:12
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
:20
- Operating temperature range (C)
:-55 to 150
- Features
:Motor control
- Duty cycle (%)
:High
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
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TI |
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TI |
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TI(德州仪器) |
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TI |
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SON-8 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
23+ |
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