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CSD25483F4

CSD25483F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET

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德州仪器

CSD25483F4

20 V, P-Channel FemtoFE MOSFET

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CSD25483F4

采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 210mΩ,20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。 • 超低导通电阻\n• 高运行漏极电流\n• 1.0mm × 0.6mm\n• 超薄 \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)\n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;

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CSD25483F4R

CSD25483F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET

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CSD25483F4T

20 V, P-Channel FemtoFE MOSFET

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技术参数

  • VGS (V):

    -12

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):

    245

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms):

    390

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms):

    1070

  • Id peak (Max) (A):

    -6.5

  • Id max cont (A):

    -1.6

  • QG typ (nC):

    0.96

  • QGD typ (nC):

    0.16

  • QGS typ (nC):

    0.25

  • VGSTH typ (V):

    -0.95

  • Package (mm):

    LGA 1.0x0.6mm

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CSD25483F4供应商 更新时间2025-10-6 14:14:00