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CSD25481F4	文件：900.87 Kbytes Page：11 Pages	CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R 文件：900.87 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4	文件：801.8 Kbytes Page：13 Pages	20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：801.8 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4	文件：1.30257 Mbytes Page：12 Pages	20V, P-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：1.30257 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4	文件：1.3306 Mbytes Page：14 Pages	CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.3306 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 90mΩ，20V P 通道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。 • 超低导通电阻\n• 超低 Qg 和 Qgd\n• 高运行漏极电流\n• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸） \n• 1mm x 0.6mm\n \n• 超薄 \n• 最大高度 0.35mm\n \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM) \n• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)\n \n• 无铅且无卤素 \n• 符合 RoHS 环保标准;	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4.B	文件：900.87 Kbytes Page：11 Pages	CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R 文件：900.87 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4T	文件：900.87 Kbytes Page：11 Pages	CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R 文件：900.87 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4T.B	文件：900.87 Kbytes Page：11 Pages	CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R 文件：900.87 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4_16	文件：801.8 Kbytes Page：13 Pages	20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：801.8 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4R	文件：1.3306 Mbytes Page：14 Pages	CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.3306 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

VGS (V)：
-12
Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
105
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
175
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
800
Id peak (Max) (A)：
-10
Id max cont (A)：
-2.5
QG typ (nC)：
0.913
QGD typ (nC)：
0.153
QGS typ (nC)：
0.24
VGSTH typ (V)：
-0.95
Package (mm)：
LGA 1.0x0.6mm

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CSD25481F4	TI/德州仪器	22+	3-XFDFN	57000	原装正品	询价
上海皇华信息科技有限公司	CSD25481F4	Texas Instruments	2140	NA	2560	自营现货,只做正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD25481F4	TI(德州仪器)	24+	3-XFDFN	28048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	CSD25481F4	TI	24+	PICOSTAR\|3	798400	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CSD25481F4	TI(德州仪器)	24+	PICOSTAR-3	19048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	CSD25481F4		24+	PicoStar-3	5000	全新、原装	询价
深圳市朱博士电子科技有限公司	CSD25481F4	TI(德州仪器)	25+	PicoStar-3	3000	全新、原装	询价
深圳市达恩科技有限公司	CSD25481F4	TexasInstruments	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
深圳市纳立科技有限公司	CSD25481F4	TI	三年内		1983	只做原装正品	询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	CSD25481F4	TI	16+	PICOSTAR	10000	原装正品	询价

更多CSD25481F4供应商更新时间2025-10-4 15:38:00

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