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CSD87312Q3E

Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD87312Q3E

Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD87312Q3E_14

Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD87312Q3E-ASY

Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

  • 型号:

    CSD87312Q3E

  • 功能描述:

    MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Texas Instruments
24+
8-PowerTDFN
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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TI
21+
VSON-8
10000
全新原装公司现货
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TI/德州仪器
24+
VSON-8
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
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TI
23+
VSON8
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TI/德州仪器
22+
VSON-8
500000
原装现货支持实单价优/含税
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Texas Instruments
2117
NA
2500
自营现货,只做正品
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TI(德州仪器)
24+
VSON8
17048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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TI/德州仪器
24+
VSON-8
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TI
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VSON-CLIP|8
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TI
2024+
N/A
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更多CSD87312Q3E供应商 更新时间2025-5-23 15:14:00