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CSD87312Q3E	文件：536.83 Kbytes Page：15 Pages	Marking：87312E；Package：VSON；Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES •CommonSourceConnection •UltraLowDraintoDrainOn-Resistance •SpaceSavingSON3.3x3.3mmPlastic Package •Optimizedfor5VGateDrive •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree APPLICATIONS •Adaptor/USB	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD87312Q3E	文件：794.4 Kbytes Page：13 Pages	Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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CSD87312Q3E.B	文件：536.83 Kbytes Page：15 Pages	Marking：87312E；Package：VSON；Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES •CommonSourceConnection •UltraLowDraintoDrainOn-Resistance •SpaceSavingSON3.3x3.3mmPlastic Package •Optimizedfor5VGateDrive •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree APPLICATIONS •Adaptor/USB	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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CSD87312Q3E-ASY	文件：794.4 Kbytes Page：13 Pages	Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
CSD87312Q3E
功能描述：
MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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