CSD87312Q3E丝印代码丝印对应型号-114ic电子网

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CSD87312Q3E	文件：536.83 Kbytes Page：15 Pages	丝印：87312E；Package：VSON；Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES • Common Source Connection • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package • Optimized for 5V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor/USB 文件：536.83 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87312Q3E.B	文件：536.83 Kbytes Page：15 Pages	丝印：87312E；Package：VSON；Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES • Common Source Connection • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package • Optimized for 5V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor/USB 文件：536.83 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多87312E供应商更新时间2025-11-25 19:32:00