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CSD87312Q3E
厂商型号

CSD87312Q3E

功能描述

Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

丝印标识

87312E

封装外壳

VSON

文件大小

536.83 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI2德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 9:48:00

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CSD87312Q3E规格书详情

1FEATURES

• Common Source Connection

• Ultra Low Drain to Drain On-Resistance

• Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic

Package

• Optimized for 5V Gate Drive

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

APPLICATIONS

• Adaptor/USB Input Protection for Notebook

PCs and Tablets

DESCRIPTION

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual

N-channel device designed for adaptor/USB input

protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low

drain to drain on-resistance that minimizes losses and

offers low component count for space constrained

multi-cell battery charging applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD87312Q3E

  • 功能描述:

    MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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