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CSD87312Q3E中文资料德州仪器数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
CSD87312Q3E
- 功能描述:
MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
VSON8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
TI |
22+ |
DFN8 |
31440 |
原装正品现货 |
询价 | ||
TI |
23+ |
QFN |
8560 |
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询价 | ||
TI |
2016+ |
QFN |
6528 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
VSON8 |
5000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
VSON-8 |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
VSON-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
24+ |
VSON-8 |
9600 |
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询价 |