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CSD87312Q3E中文资料德州仪器数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
CSD87312Q3E
- 功能描述：
MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
10000 |
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询价 | ||
TI |
25+ |
QFN |
10000 |
原装正品,假一罚十! |
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TI/德州仪器 |
25+ |
QFN |
32360 |
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询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
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TI |
24+ |
VSON8 |
8000 |
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TI/德州仪器 |
2517+ |
QFN |
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只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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TI/德州仪器 |
23+ |
QFN |
8160 |
原厂原装 |
询价 | ||
TI |
22+ |
5000 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
24+ |
VSON-8 |
52446 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
2223+ |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |
