CSD25310Q2, 20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs

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丝印：2530；Package：WSON；20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs

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Power Management Switch Applications

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ZHAOXINGWEI

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 19.9mΩ，20V P 通道器件被设计成在超薄且尽可能小的外形尺寸封装内以出色的热特性提供尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 其低导通电阻，与 SON 2mm x 2mm 塑料封装内的极小封装尺寸组合在一起，使得此器件成为电池供电、空间受限运行的理想选择。 顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 43°C/W，这是在 0.060 英寸厚环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1in² 铜（2 盎司）过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2% • 超低 Qg 和 Qgd \n• 低导通电阻\n• 低热阻\n• 无铅 \n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装;

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20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs

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丝印：2530；Package：WSON；20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs

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