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CSD25310Q2

CSD25310Q2, 20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs

文件:760.5 Kbytes 页数:11 Pages

TI

德州仪器

CSD25310Q2

丝印:2530;Package:WSON;20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs

文件:779.36 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

CSD25310Q2

Power Management Switch Applications

文件:288.36 Kbytes 页数:5 Pages

ZHAOXINGWEI

CSD25310Q2

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 19.9mΩ,20V P 通道器件被设计成在超薄且尽可能小的外形尺寸封装内以出色的热特性提供尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 其低导通电阻,与 SON 2mm x 2mm 塑料封装内的极小封装尺寸组合在一起,使得此器件成为电池供电、空间受限运行的理想选择。 顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 43°C/W,这是在 0.060 英寸厚环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1in² 铜(2 盎司)过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2% • 超低 Qg 和 Qgd \n• 低导通电阻\n• 低热阻\n• 无铅 \n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装;

TI

德州仪器

CSD25310Q2_18

20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs

文件:779.36 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

CSD25310Q2T

丝印:2530;Package:WSON;20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs

文件:779.36 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • VGS (V):

    -8

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):

    23.9

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms):

    32.5

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms):

    89

  • Id peak (Max) (A):

    -48

  • Id max cont (A):

    -9.6

  • QG typ (nC):

    3.6

  • QGD typ (nC):

    0.5

  • QGS typ (nC):

    1.1

  • VGSTH typ (V):

    -0.85

  • Package (mm):

    SON 2x2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI
21+
WSON6
100000
FET类型 P-CH 漏源电压 20V 连续漏极电流 20A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8|4.5V 源漏开态电阻 23.9mOhm Vgs(th) 1.1 V Gate Charge (Qg) 4.7nC Vgs (Max) 8V Input Capacitance (Ciss) 655pF 消耗电力 2.9W 动作温度范围 -55 to 150C
询价
TI
23+
DFN22
66800
原装现货库存 ;QQ:373621633 3616872778
询价
CCSEMI
19+
DFN2X2-6
9000
询价
TI/德州仪器
22+
WSON6
51000
原装正品
询价
TI/德州仪器
25+
SON6
32000
TI/德州仪器全新特价CSD25310Q2即刻询购立享优惠#长期有货
询价
TI
16+
WSON6
32500
全新原装现货供应2
询价
TI
24+
DFN22
15000
一级代理分销/现货/可长期供应!!
询价
TI/德州仪器
23+
WSON6
18204
原装正品代理渠道价格优势
询价
TI
2021+
QFN22
9450
原装现货。
询价
TI
21+
WSON6
15000
全新原装公司现货
询价
更多CSD25310Q2供应商 更新时间2025-9-26 17:21:00