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CSD17527Q5A	文件：413.79 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17527；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Control F 文件：413.79 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17527Q5A	文件：618.44 Kbytes Page：12 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：618.44 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17527Q5A.B	文件：413.79 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17527；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Control F 文件：413.79 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17527Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定\n• 无铅终端镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
15.5
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
10.8
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
85
QG typ (nC)：
2.8
QGD typ (nC)：
0.8
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.6
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
65
ID - package limited (A)：
65
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	CSD17527Q5A	TI(德州仪器)	2022+原装正品	VSONP-8	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD17527Q5A	TI(德州仪器)	24+	DQJ-8	17048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	CSD17527Q5A	TI	24+	VSONP\|8	798400	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	CSD17527Q5A	NK/南科功率	2025+	DFN5060-8	3000	国产南科平替供应大量	询价
深圳市华高宇电子有限公司	CSD17527Q5A	TI	21+		9500		询价
深圳市纳立科技有限公司	CSD17527Q5A	TI	三年内		1983	只做原装正品	询价
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更多CSD17527Q5A供应商更新时间2025-10-7 15:01:00

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