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CSD18502Q5B	文件：530.49 Kbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18502；Package：VSON-CLIP；CSD18502Q5B 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen-Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 2 Appli 文件：530.49 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5B	文件：945.63 Kbytes Page：15 Pages	40V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：945.63 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5B	文件：1.45539 Mbytes Page：12 Pages	40-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.45539 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5B.B	文件：530.49 Kbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18502；Package：VSON-CLIP；CSD18502Q5B 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen-Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 2 Appli 文件：530.49 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5BT	文件：530.49 Kbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18502；Package：VSON-CLIP；CSD18502Q5B 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen-Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 2 Appli 文件：530.49 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5BT.B	文件：530.49 Kbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18502；Package：VSON-CLIP；CSD18502Q5B 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen-Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 2 Appli 文件：530.49 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5B_16	文件：945.63 Kbytes Page：15 Pages	40V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：945.63 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5BT	文件：945.63 Kbytes Page：15 Pages	40V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：945.63 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5B	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此 40V、1.8mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd \n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
3.3
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2.3
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
52
QGD typ (nC)：
8.4
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
204
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	CSD18502Q5B	TI	24+	N/A	7500	爱立购只做原装,样品支持终端工厂	询价
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更多CSD18502Q5B供应商更新时间2025-10-13 12:00:00

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