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CSD17381F4	文件：937.48 Kbytes Page：13 Pages	CSD17381F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Low threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compl 文件：937.48 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17381F4	文件：1.10036 Mbytes Page：11 Pages	30-V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：1.10036 Mbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17381F4	文件：602.06 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：602.06 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17381F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 90mΩ，30V N 通道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。 • 超低导通电阻\n• 超低 Qg 和 Qgd\n• 低阈值电压\n• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸） \n• 1.0mm × 0.6mm\n \n• 超薄 \n• 高度 0.35mm\n \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM) \n• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)\n \n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 标准;	TI 德州仪器	TI
CSD17381F4.B	文件：937.48 Kbytes Page：13 Pages	CSD17381F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Low threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compl 文件：937.48 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17381F4T	文件：937.48 Kbytes Page：13 Pages	CSD17381F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Low threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compl 文件：937.48 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17381F4T.B	文件：937.48 Kbytes Page：13 Pages	CSD17381F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Low threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compl 文件：937.48 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17381F4_16	文件：602.06 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：602.06 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17381F4T	文件：602.06 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：602.06 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
117
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
109
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
10
QG typ (nC)：
1.04
QGD typ (nC)：
0.133
Package (mm)：
LGA 1.0x0.6mm
VGS (V)：
12
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
3.1
ID - package limited (A)：
3.1
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市龙瀚电子有限公司	CSD17381F4	TI	16+	PICOSTAR3	32500	全新原装现货供应2	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	CSD17381F4	TI	25+	PICOSTA	9500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	CSD17381F4	Texas Instruments	25+	PICOSTAR3	18000	TI优势渠道,大量原装库存现货,交期快,欢迎询价。	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CSD17381F4	TI/德州仪器	2021+	DFN	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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深圳市拓亿芯电子有限公司	CSD17381F4	TI/德州仪器	23+	DFN	15000	全新原装现货,假一赔十.	询价
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更多CSD17381F4供应商更新时间2025-10-6 13:38:00

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