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CSD19533Q5A	文件：829.55 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19533；Package：VSONP；CSD19533Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Primary Side Telecom • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description Thi 文件：829.55 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19533Q5A	文件：1.11219 Mbytes Page：13 Pages	100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.11219 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19533Q5A	文件：773.9 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：773.9 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19533Q5A.B	文件：829.55 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19533；Package：VSONP；CSD19533Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Primary Side Telecom • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description Thi 文件：829.55 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19533Q5AT	文件：829.55 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19533；Package：VSONP；CSD19533Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Primary Side Telecom • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description Thi 文件：829.55 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19533Q5AT.B	文件：829.55 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19533；Package：VSONP；CSD19533Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Primary Side Telecom • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description Thi 文件：829.55 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19533Q5A_16	文件：773.9 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：773.9 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19533Q5AT	文件：773.9 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：773.9 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19533Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.3°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1% • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
9.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
231
QG typ (nC)：
27
QGD typ (nC)：
4.9
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
2.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
75
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市讯顺达科技有限公司	CSD19533Q5A	TI	21+	VSONP8	3750	全新原装公司现货	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	CSD19533Q5A	TI	23+	VSONP-8	30000	全新原装正品	询价
深圳市胜彬电子有限公司	CSD19533Q5A	TI/德州仪器	2152+	VSONP8	8000	原装正品假一罚十	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	CSD19533Q5A	TI/德州仪器	2021+	VSONP8	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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更多CSD19533Q5A供应商更新时间2025-10-9 18:43:00

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