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CSD19533Q5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD19533Q5A规格书详情
描述 Description
这款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。 顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.3°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用 Application
初级侧电信应用
次级侧同步整流器
电机控制
技术参数
- 制造商编号
：CSD19533Q5A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：9.5
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：231
- QG typ (nC)
：27
- QGD typ (nC)
：4.9
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：2.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：75
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：No
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
VSONP8 |
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TI |
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VSONP8 |
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TI |
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VSONP8 |
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TI |
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QFN8 |
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TI(德州仪器) |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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VSONP8 |
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TI/德州仪器 |
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