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CSD19534KCS	文件：321.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
CSD19534KCS	文件：326.11 Kbytes Page：12 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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L-19534	文件：16.12 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

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更多CSD19534KCS供应商更新时间2025-6-10 15:08:00