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CSD17318Q2	文件：962.9 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5V gate drive • Low capacitance and charge • Low RDS(ON) • Low-thermal resistance • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Storage, tablets, and handheld devices • Optimized for load switch applications • 文件：962.9 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2	文件：959.821 Kbytes Page：15 Pages	这款采用2mm×2mm SON封装的30V，12.6mΩNexFET?功率MOSFET的设计被用来降低功率转换中的损耗，并优化5V栅极驱动器.2mm x 2mm SON针对封装尺寸提供了出色的散热性能文件：959.821 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器 PDF上传者：深圳兆威电子有限公司	TI
CSD17318Q2	文件：344.2 Kbytes Page：13 Pages	30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：344.2 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗，并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。 • 针对 5V 栅极驱动器进行优化\n• 低电容和电荷\n• 低 RDS(ON)\n• 低热阻\n• 无铅\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2.B	文件：962.9 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5V gate drive • Low capacitance and charge • Low RDS(ON) • Low-thermal resistance • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Storage, tablets, and handheld devices • Optimized for load switch applications • 文件：962.9 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2G4.B	文件：962.9 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5V gate drive • Low capacitance and charge • Low RDS(ON) • Low-thermal resistance • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Storage, tablets, and handheld devices • Optimized for load switch applications • 文件：962.9 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2T	文件：962.9 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5V gate drive • Low capacitance and charge • Low RDS(ON) • Low-thermal resistance • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Storage, tablets, and handheld devices • Optimized for load switch applications • 文件：962.9 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2T.B	文件：962.9 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5V gate drive • Low capacitance and charge • Low RDS(ON) • Low-thermal resistance • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Storage, tablets, and handheld devices • Optimized for load switch applications • 文件：962.9 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2T	文件：344.2 Kbytes Page：13 Pages	30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：344.2 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
16.9
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
68
QG typ (nC)：
6
QGD typ (nC)：
1.3
Package (mm)：
SON2x2
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.9
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
25
ID - package limited (A)：
22
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市跃创芯科技有限公司	CSD17318Q2	TI/德州仪器	21+	WSON6	9000	只有原装，假一罚十！	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	CSD17318Q2	TI	21+	WSON-6	179000	全新原装公司现货	询价
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