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CSD17318Q2_TI/德州仪器_这款采用2mm×2mm SON封装的30V,12.6mΩNexFET?功率MOSFET的设计被用来降低功率转换中的损耗,并优化5V栅极驱动器.2mm x 2mm SON针对封装尺寸提供了出色的散热性能跃创芯
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号
:CSD17318Q2
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:16.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:68
- QG typ (nC)
:6
- QGD typ (nC)
:1.3
- Package (mm)
:SON2x2
- VGS (V)
:10
- VGSTH typ (V)
:0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:25
- ID - package limited (A)
:22
- Logic level
:Yes
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