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CSD17318Q2T	文件：962.9 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5V gate drive • Low capacitance and charge • Low RDS(ON) • Low-thermal resistance • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Storage, tablets, and handheld devices • Optimized for load switch applications • 文件：962.9 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2T	文件：344.2 Kbytes Page：13 Pages	30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：344.2 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2T.B	文件：962.9 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5V gate drive • Low capacitance and charge • Low RDS(ON) • Low-thermal resistance • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Storage, tablets, and handheld devices • Optimized for load switch applications • 文件：962.9 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2	文件：962.9 Kbytes Page：15 Pages	CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5V gate drive • Low capacitance and charge • Low RDS(ON) • Low-thermal resistance • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Storage, tablets, and handheld devices • Optimized for load switch applications • 文件：962.9 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17318Q2	文件：959.821 Kbytes Page：15 Pages	这款采用2mm×2mm SON封装的30V，12.6mΩNexFET?功率MOSFET的设计被用来降低功率转换中的损耗，并优化5V栅极驱动器.2mm x 2mm SON针对封装尺寸提供了出色的散热性能文件：959.821 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器 PDF上传者：深圳兆威电子有限公司	TI
CSD17318Q2	文件：344.2 Kbytes Page：13 Pages	30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：344.2 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

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更多CSD17318Q2T供应商更新时间2025-10-4 16:12:00

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