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CSD17312Q5	文件：427.97 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17312；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point-of-Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking 文件：427.97 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17312Q5.B	文件：427.97 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17312；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point-of-Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking 文件：427.97 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17312Q5	文件：427.97 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17312；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point-of-Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking 文件：427.97 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17312Q5.B	文件：427.97 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17312；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point-of-Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking 文件：427.97 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
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详细参数

型号：
CSD17312
功能描述：
MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD17312供应商更新时间2026-1-17 18:54:00

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