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CSD17312Q5.B中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

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厂商型号

CSD17312Q5.B

功能描述

30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

CSD17312

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

427.97 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 22:58:00

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CSD17312Q5.B规格书详情

1FEATURES

2• Optimized for 5V Gate Drive

• Ultra Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

APPLICATIONS

• Notebook Point-of-Load

• Point-of-Load Synchronous Buck in

Networking, Telecom and Computing Systems

DESCRIPTION

The NexFET™ power MOSFET has been designed

to minimize losses in power conversion applications

and optimized for 5V gate drive applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
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