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CSD17309Q3.B中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

CSD17309Q3.B
厂商型号

CSD17309Q3.B

功能描述

CSD17309Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

CSD17309

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

472.54 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI2德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 9:31:00

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CSD17309Q3.B规格书详情

1 Features

1• Optimized for 5 V Gate Drive

• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

2 Applications

• Notebook Point of Load

• Point of Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom, and Computing Systems

3 Description

This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is

designed to minimize losses in power conversion

applications and optimized for 5 V gate drive

applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
23+
QFN
7300
专注配单,只做原装进口现货
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TI(德州仪器)
2021+
8000
原装现货,欢迎询价
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TI/德州仪器
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18000
原装正品
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TI
1709+
QFN8
50
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