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CSD17308Q3规格书详情
1 Features
1• Optimized for 5-V gate drive
• Ultra-low Qg and Qgd
• Low thermal resistance
• Avalanche rated
• Lead-free terminal plating
• RoHS compliant
• Halogen free
• VSON 3.3 mm × 3.3 mm plastic package
2 Applications
• Notebook point of load
• Point-of-load synchronous buck in networking,
telecom, and computing systems
3 Description
This 30-V, 8.2-mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm VSON
NexFET™ power MOSFET is designed to minimize
losses in power conversion applications and
optimized for 5-V gate drive applications.
产品属性
- 型号：
CSD17308Q3
- 功能描述：
MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
25+ |
DFN |
15620 |
TI/德州仪器全新特价CSD17308Q3即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
TI |
24+ |
SON8 |
8000 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
QFN8 |
9300 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
QFN |
9854 |
原装正品现货假一罚十 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
2223+ |
SON-8 |
26800 |
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询价 | ||
TI |
2016+ |
SON8 |
10000 |
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询价 | ||
TI |
17+ |
QFN |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
QFN8 |
1313 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
TI |
23+ |
真实库存 |
5000 |
全新原装,支持实单,非诚勿扰 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
QFN |
10000 |
全新原装现货库存 |
询价 |
