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厂商型号

CSD17308Q3

功能描述

CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

丝印标识

CSD17308

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

551.46 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 23:00:00

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CSD17308Q3规格书详情

1 Features

1• Optimized for 5-V gate drive

• Ultra-low Qg and Qgd

• Low thermal resistance

• Avalanche rated

• Lead-free terminal plating

• RoHS compliant

• Halogen free

• VSON 3.3 mm × 3.3 mm plastic package

2 Applications

• Notebook point of load

• Point-of-load synchronous buck in networking,

telecom, and computing systems

3 Description

This 30-V, 8.2-mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm VSON

NexFET™ power MOSFET is designed to minimize

losses in power conversion applications and

optimized for 5-V gate drive applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD17308Q3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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