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CSD17309Q3规格书详情
1 Features
1• Optimized for 5 V Gate Drive
• Ultra-Low Qg and Qgd
• Low Thermal Resistance
• Avalanche Rated
• Pb Free Terminal Plating
• RoHS Compliant
• Halogen Free
• SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
2 Applications
• Notebook Point of Load
• Point of Load Synchronous Buck in Networking,
Telecom, and Computing Systems
3 Description
This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is
designed to minimize losses in power conversion
applications and optimized for 5 V gate drive
applications.
产品属性
- 型号：
CSD17309Q3
- 功能描述：
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
VSON8 |
12048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
DFN |
15620 |
TI/德州仪器全新特价CSD17309Q3即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
TI |
25+ |
8-VSON |
1030 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
VSON-8 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
26+ |
N/A |
360000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
CCSEMI |
23+ |
QFN3X3-8 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
TI |
22+ |
5000 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
22+ |
VSON-CLIP-8 |
500000 |
原装现货支持实单价优/含税 |
询价 |
