首页>CSD17309Q3>规格书详情
CSD17309Q3中文资料德州仪器数据手册PDF规格书
CSD17309Q3规格书详情
1 Features
1• Optimized for 5 V Gate Drive
• Ultra-Low Qg and Qgd
• Low Thermal Resistance
• Avalanche Rated
• Pb Free Terminal Plating
• RoHS Compliant
• Halogen Free
• SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
2 Applications
• Notebook Point of Load
• Point of Load Synchronous Buck in Networking,
Telecom, and Computing Systems
3 Description
This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is
designed to minimize losses in power conversion
applications and optimized for 5 V gate drive
applications.
产品属性
- 型号：
CSD17309Q3
- 功能描述：
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI德州仪器 |
22+ |
24000 |
原装正品现货,实单可谈,量大价优 |
询价 | |||
TI |
24+ |
QFN |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
QFN |
18500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
VSON8 |
10000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
22+ |
VSON8 |
75000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
TI |
23+ |
VSON8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TI |
23+ |
SON8 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
NA |
7671 |
原装正品.优势专营 |
询价 |
