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厂商型号

CSD17309Q3

功能描述

CSD17309Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

CSD17309

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

472.54 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 16:42:00

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CSD17309Q3规格书详情

1 Features

1• Optimized for 5 V Gate Drive

• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

2 Applications

• Notebook Point of Load

• Point of Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom, and Computing Systems

3 Description

This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is

designed to minimize losses in power conversion

applications and optimized for 5 V gate drive

applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD17309Q3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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