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厂商型号

CSD17312Q5

功能描述

30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

CSD17312

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

427.97 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 23:00:00

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CSD17312Q5规格书详情

1FEATURES

2• Optimized for 5V Gate Drive

• Ultra Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

APPLICATIONS

• Notebook Point-of-Load

• Point-of-Load Synchronous Buck in

Networking, Telecom and Computing Systems

DESCRIPTION

The NexFET™ power MOSFET has been designed

to minimize losses in power conversion applications

and optimized for 5V gate drive applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD17312Q5

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
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