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CSD17311Q5中文资料德州仪器数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
CSD17311Q5
- 功能描述:
MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
170 |
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TI |
24+ |
8SON |
8000 |
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询价 | ||
TI |
25+ |
QFN |
1374 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
8-VSON-CLIP |
20300 |
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TI |
21+ |
QFN-8 |
90000 |
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TI |
16+ |
VSON-CLIP |
10000 |
原装正品 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
VSON-CLIP-8 |
4987 |
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TI/德州仪器 |
22+ |
VSON-CLIP-8 |
500000 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
VSON-CLIP|8 |
451000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
2450+ |
DFN56 |
9485 |
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