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厂商型号

CSD17309Q3T

功能描述

CSD17309Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

文件大小

472.54 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 22:58:00

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CSD17309Q3T规格书详情

1 Features

1• Optimized for 5 V Gate Drive

• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

2 Applications

• Notebook Point of Load

• Point of Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom, and Computing Systems

3 Description

This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is

designed to minimize losses in power conversion

applications and optimized for 5 V gate drive

applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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