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CSD17303Q5

Marking:CSD17303;Package:VSON-CLIP;30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1FEATURES 2•Optimizedfor5VGateDrive •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •NotebookPoint-of-Load •Point-of-LoadSynchronousBuckin Networking,

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD17303Q5.B

Marking:CSD17303;Package:VSON-CLIP;30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1FEATURES 2•Optimizedfor5VGateDrive •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •NotebookPoint-of-Load •Point-of-LoadSynchronousBuckin Networking,

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

  • 型号:

    CSD17303

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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