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CSD17303Q5	文件：427.08 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17303；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point-of-Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：427.08 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17303Q5.B	文件：427.08 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17303；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point-of-Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：427.08 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
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CSD17303Q5.B	文件：427.08 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17303；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point-of-Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：427.08 Kbytes 页数：10 Pages	TI2 德州仪器	TI2
CSD17303Q5	文件：369.7 Kbytes Page：9 Pages	30V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：369.7 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17303Q5	文件：1.55008 Mbytes Page：23 Pages	Using the TPS51916EVM-746 Complete DDR2, DDR3 文件：1.55008 Mbytes 页数：23 Pages	TI1 德州仪器	TI1

详细参数

型号：
CSD17303
功能描述：
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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