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CSD17303Q5	文件：427.08 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17303；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point-of-Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：427.08 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17303Q5	文件：369.7 Kbytes Page：9 Pages	30V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：369.7 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17303Q5	文件：1.55008 Mbytes Page：23 Pages	Using the TPS51916EVM-746 Complete DDR2, DDR3 文件：1.55008 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17303Q5	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications. • Optimized for 5V Gate Drive\n• Low Thermal Resistance\n• Pb Free Terminal Plating\n• Halogen Free\n• APPLICATIONS \n• Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems\n• Optimized for Synchronous FET Applications\n \n NexFET is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI
CSD17303Q5.B	文件：427.08 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17303；Package：VSON-CLIP；30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point-of-Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：427.08 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
2.6
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
200
QG typ (nC)：
18
QGD typ (nC)：
4
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1.1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
100
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

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