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CSD16407Q5	文件：237.9 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD16407；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Synchronous FET Applications DESCRIPTION 文件：237.9 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD16407Q5.B	文件：237.9 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD16407；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Synchronous FET Applications DESCRIPTION 文件：237.9 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16407Q5	文件：340.52 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：340.52 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16407Q5C	文件：191.95 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：191.95 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16407Q5C_10	文件：345.7 Kbytes Page：11 Pages	ID The NexFET??power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. 文件：345.7 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
CSD16407
功能描述：
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市胜彬电子有限公司	CSD16407Q5	TI/德州仪器	2038+	SON8	8000	原装正品现货假一罚十	询价
芯灿微（深圳）科技有限公司	CSD16407Q5	TI/德州仪器	22+	VSON-Clip-8	500000	原装现货支持实单价优/含税	询价
上海皇华信息科技有限公司	CSD16407Q5	Texas Instruments	2047	NA	2500	自营现货,只做正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD16407Q5	TI(德州仪器)	24+	SON8	19936	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
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深圳市汇莱威科技有限公司	CSD16407Q5	TI	24+	VSON-CLIP\|8	451000	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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更多CSD16407供应商更新时间2025-9-21 16:42:00

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