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CSD16412Q5A	文件：239.75 Kbytes Page：10 Pages	Marking：CSD16412；Package：VSONP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2•UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mmx6mmPlasticPackage APPLICATIONS •Point-of-LoadSynchronousBuckConverter forApplicationsinNetworking,Telecomand ComputingSystems	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16412Q5A.B	文件：239.75 Kbytes Page：10 Pages	Marking：CSD16412；Package：VSONP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2•UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mmx6mmPlasticPackage APPLICATIONS •Point-of-LoadSynchronousBuckConverter forApplicationsinNetworking,Telecomand ComputingSystems	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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CSD16412Q5A

文件：239.75 Kbytes

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Marking：CSD16412；Package：VSONP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES 2•UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mmx6mmPlasticPackage APPLICATIONS •Point-of-LoadSynchronousBuckConverter forApplicationsinNetworking,Telecomand ComputingSystems

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

CSD16412Q5A.B

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Marking：CSD16412；Package：VSONP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

详细参数

型号：
CSD16412
功能描述：
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD16412供应商更新时间2025-6-23 9:05:00

详细参数

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