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CSD17301Q5A	文件：417.16 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17301；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：417.16 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A.B	文件：417.16 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17301；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：417.16 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD17301Q5A.B	文件：417.16 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17301；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：417.16 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD17301Q5A	文件：359.61 Kbytes Page：9 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：359.61 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A	文件：1.12276 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.12276 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CSD17301Q5A_10	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A_101	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
CSD17301
功能描述：
MOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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