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CSD17301Q5A	文件：417.16 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17301；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：417.16 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A	文件：1.12276 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.12276 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CSD17301Q5A	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A	文件：359.61 Kbytes Page：9 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：359.61 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A.B	文件：417.16 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17301；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：417.16 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A_10	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A_101	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications. • Optimized for 5V Gate Drive\n• Low Thermal Resistance\n• Pb Free Terminal Plating\n• Halogen Free\n• APPLICATIONS \n• Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems\n• Optimized for Synchronous FET Applications\n \n NexFET is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
3
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
181
QG typ (nC)：
19
QGD typ (nC)：
4.3
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1.1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
100
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市龙瀚电子有限公司	CSD17301Q5A	TI	16+	QFN8	32500	全新原装现货供应2	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	CSD17301Q5A	Texas Instruments	25+	QFN8	18000	TI优势渠道,大量原装库存现货,交期快,欢迎询价。	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	CSD17301Q5A	TEXAS INSTRUMENTS	25+	SMD	918000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
芯灿微（深圳）科技有限公司	CSD17301Q5A	TI/德州仪器	22+	VSONP-8	500000	原装现货支持实单价优/含税	询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD17301Q5A	TI(德州仪器)	24+	DFN-8(5x6)	9555	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	CSD17301Q5A	TI(德州仪器)	24+	VSONP-8	12048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
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深圳市卓越微芯电子有限公司	CSD17301Q5A	TI	25+	SON8	7	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多CSD17301Q5A供应商更新时间2025-11-22 13:38:00

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