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CSD16408Q5	文件：739.49 Kbytes Page：12 Pages	Marking：CSD16408；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckinNetworking, TelecomandComputingSystems •OptimizedforControlFETApplications 3Description TheNexFET™powerMOSFETh	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16408Q5.B	文件：739.49 Kbytes Page：12 Pages	Marking：CSD16408；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1Features •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckinNetworking, TelecomandComputingSystems •OptimizedforControlFETApplications 3Description TheNexFET™powerMOSFETh	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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CSD16408Q5

文件：739.49 Kbytes

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Marking：CSD16408；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1Features •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications •Point-of-LoadSynchronousBuckinNetworking, TelecomandComputingSystems •OptimizedforControlFETApplications 3Description TheNexFET™powerMOSFETh

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

CSD16408Q5.B

文件：739.49 Kbytes

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Marking：CSD16408；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

详细参数

型号：
CSD16408
功能描述：
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CSD16408供应商更新时间2025-7-23 16:16:00

详细参数

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