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CSD16408Q5	文件：739.49 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16408；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Control FET Applications 3 Description The NexFET™ power MOSFET h 文件：739.49 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5.B	文件：739.49 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16408；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems • Optimized for Control FET Applications 3 Description The NexFET™ power MOSFET h 文件：739.49 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD16408Q5	文件：204.28 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：204.28 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5_11	文件：323.07 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. 文件：323.07 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5C	文件：177.39 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Ch NexFET??Power MOSFET 文件：177.39 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16408Q5C_10	文件：340 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. 文件：340 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
CSD16408
功能描述：
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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