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CSD16325Q5
厂商型号

CSD16325Q5

功能描述

N-Channel NexFET Power MOSFETs

丝印标识

CSD16325

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

750 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI2德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 18:33:00

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CSD16325Q5规格书详情

1 Features

• Optimized for 5 V Gate Drive

• Ultralow Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

2 Applications

• Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom and Computing Systems

• Optimized for Synchronous FET Applications

3 Description

The NexFET™ power MOSFET has been designed to

minimize losses in power conversion applications and

optimized for 5 V gate drive applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD16325Q5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
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