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CSD16325Q5.B中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

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厂商型号

CSD16325Q5.B

功能描述

N-Channel NexFET Power MOSFETs

丝印标识

CSD16325

封装外壳

VSON-CLIP

文件大小

750 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 23:01:00

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CSD16325Q5.B规格书详情

1 Features

• Optimized for 5 V Gate Drive

• Ultralow Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

2 Applications

• Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom and Computing Systems

• Optimized for Synchronous FET Applications

3 Description

The NexFET™ power MOSFET has been designed to

minimize losses in power conversion applications and

optimized for 5 V gate drive applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
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