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CSD16404Q5A	文件：776.1 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing System 文件：776.1 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16404Q5A	文件：511.26 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：511.26 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16404Q5A.B	文件：776.1 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing System 文件：776.1 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16404Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultralow Qg and Qgd\n• Avalanche Rated\n• RoHS Compliant\n• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package\n• Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems\n• Optimized for Control FET Applications\n \n NexFET is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
7.2
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
5.1
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
135
QG typ (nC)：
6.5
QGD typ (nC)：
1.7
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
16
VGSTH typ (V)：
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
81
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

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深圳市坤融电子科技有限公司	CSD16404Q5A	TI/德州仪器	24+	SON8	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
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更多CSD16404Q5A供应商更新时间2025-10-4 16:36:00

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