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CED1010AL	文件：440.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,63A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1010L	文件：939.61 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,63A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1012	文件：379.29 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED1012L	文件：695.69 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED10P10	文件：389.96 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-100V,-8A,RDS(ON)=350mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED110P03	文件：643.31 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-92A,RDS(ON)=6.0mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.0mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1185	文件：661.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 800V,3.4A,RDS(ON)=2.9W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1188SA	文件：428.37 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 800V,6.8A,RDS(ON)=0.72W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED11N65S	文件：519.97 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V,8A,RDS(ON)=0.42W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED11P10	文件：547.91 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V,-7A,RDS(ON)=270mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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