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CED1188SA	文件：428.37 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 800V,6.8A,RDS(ON)=0.72W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1188SA	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEF1188	文件：905.88 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEF1188SA	文件：421.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP1188	文件：905.88 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP1188SA	文件：421.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU1188SA	文件：428.37 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 800V,6.8A,RDS(ON)=0.72W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CXG1188UR	文件：75.43 Kbytes Page：4 Pages	HighPowerDPDTSwitchwithLogicControl	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
DEI1188	文件：805.42 Kbytes Page：13 Pages	8CHGND/OPENDISCRETEINTERFACEICW/EXTHVPROTECTION	DEIAZ Device Engineering Incorporated	DEIAZ
DEI1188-SES	文件：805.42 Kbytes Page：13 Pages	8CHGND/OPENDISCRETEINTERFACEICW/EXTHVPROTECTION	DEIAZ Device Engineering Incorporated	DEIAZ

技术参数

BVDSS(V)：
800
Rds(on)mΩ@10V：
720
ID(A)：
6.8
Qg(nC)@10V(typ)：
17
RθJC(℃/W)：
1.4
Pd(W)：
89
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市尼博电子有限公司	CED1188SA	CET	22+	TO251	50000	一级代理,放心购买!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CED11P15	C	TO-251	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CED11P15	-	23+	NA	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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