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CED110P03中文资料华瑞数据手册PDF规格书

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厂商型号

CED110P03

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

643.31 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

CET-MOS

中文名称

华瑞

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数据手册

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更新时间

2026-2-1 20:00:00

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CED110P03规格书详情

FEATURES

-30V, -92A, RDS(ON) =6.0mW @VGS = -10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RDS(ON) =9.0mW @VGS = -4.5V.

RoHS compliant.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VB
2026+
TO-251
26325
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VBsemi
24+
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VBsemi
23+
TO251
50000
全新原装正品现货,支持订货
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