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AO6601	文件：2.72053 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6601	文件：724.96 Kbytes Page：11 Pages	Marking：F14L；Package：SOT23-6；N P Channel MOSFET Features N-Ch: VDS(V)=30V ID=3.4A(VGS=10V) RDS(ON)60m(VGS=10V) RDS(ON)70m(VGS=4.5V) RDS(ON)90m(VGS=2.5V) P-Ch: VDS(V)=-30V ID=-2.3A(VGS=-10V) RDS(ON)115m(VGS=-10V) RDS(ON)150m(VGS=-4.5V) RDS(ON)200m(VGS=-2.5V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO6601	文件：915.11 Kbytes Page：11 Pages	Marking：F14LU；Package：SOT23-6；N P Channel MOSFET GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsformahigh-speedpower inverter,suitableforamultitudeofapplications. Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO6601	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6601	文件：2.06917 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO6601	文件：482.71 Kbytes Page：9 Pages	30V Complementary MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6601-HF	文件：3.6273 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6601L	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6601_12	文件：482.71 Kbytes Page：9 Pages	30V Complementary MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO6601
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO6601供应商更新时间2025-7-20 10:02:00

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