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AO6601	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6601 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6 文件：207.8 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6601	文件：2.72053 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■ Features N-Channel : ● VDS (V) = 30V ● ID = 3.4 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.72053 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6601	文件：2.06917 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：2.06917 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO6601	文件：724.96 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F14L；Package：SOT23-6；N P Channel MOSFET Features N-Ch: * VDS (V)=30V * ID= 3.4A (VGS=10V) * RDS(ON) 60m (VGS = 10V) * RDS(ON) 70m (VGS = 4.5V) * RDS(ON) 90m (VGS = 2.5V) P-Ch: * VDS (V)=-30V * ID=-2.3A (VGS=-10V) * RDS(ON) 115m (VGS = -10V) * RDS(ON) 150m (VGS = -4.5V) * RDS(ON) 200m (VGS = -2.5V) 文件：724.96 Kbytes 页数：11 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO6601	文件：915.11 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F14LU；Package：SOT23-6；N P Channel MOSFET General Description The AO6601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Features N-Ch: VDS (V)=30V RDS(ON) 文件：915.11 Kbytes 页数：11 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO6601	文件：482.71 Kbytes Page：9 Pages	30V Complementary MOSFET 文件：482.71 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6601	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补型功率MOSFETs 30V Complementary MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO6601	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO6601-HF	文件：3.6273 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■ Features N-Channel : ● VDS (V) = 30V ● ID = 3.4 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：3.6273 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6601L	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6601 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6 文件：207.8 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO6601
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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