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AO7411	文件：109.65 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO7411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO7411 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 spec 文件：109.65 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO7411	文件：1.01678 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch for Portable Devices - Cellular Phone - DSC - Portable Game Console - MP3 - GPS 文件：1.01678 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO7411	文件：359.03 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：359.03 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO7411	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 20V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO7411L	文件：109.65 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO7411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO7411 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 spec 文件：109.65 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO7411_10	文件：359.03 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：359.03 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SC70-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
4.5V：
120
2.5V：
150
1.8V：
200
ID @ 25°C (A)：
-1.80
PD @ 25°C (W)：
0.63
Qg (4.5V)(nC)：
8.50
VGS(th) max (V)：
-1
Ciss (pF)：
560
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
70
Qgd (nC)：
2.10
tD(on) (ns)：
7.20
tD(off) (ns)：
53
Trr (ns)：
37
Qrr (nC)：
27
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO7411供应商更新时间2025-10-4 10:03:00

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