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AO6801A	文件：1.93653 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO6801A	文件：336.64 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO6801AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)-2.3A	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6801A	文件：1.27263 Mbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-2.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6801A-HF	文件：2.02956 Mbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-2.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6801E	文件：308.58 Kbytes Page：5 Pages	30VDualP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO6801EcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6801E	文件：1.91152 Mbytes Page：4 Pages	DualP-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-2A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6801E-HF	文件：2.05487 Mbytes Page：4 Pages	DualP-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-2A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6801-HF	文件：1.87584 Mbytes Page：4 Pages	DualP-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-2.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6801L	文件：110.34 Kbytes Page：4 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6801usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO6801isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6801LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CM6801	文件：31.74 Kbytes Page：1 Pages	WireTerminal(standard)	VCC Visual Communications Company	VCC

详细参数

型号：
AO6801A
功能描述：
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 6TSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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