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AO8808	文件：112.07 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO8808 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switch, facilitated by its 文件：112.07 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8808	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AO8808A	文件：112.45 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO8808A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. Standard Product AO8808A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). 文件：112.45 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8808A	文件：1.69773 Mbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET FEATURES • Halogen-free Option Available • TrenchFET® Power MOSFETs 文件：1.69773 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO8808AL	文件：112.45 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO8808A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. Standard Product AO8808A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). 文件：112.45 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8808L	文件：112.07 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO8808 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switch, facilitated by its 文件：112.07 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO8808A	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TSSOP-8L
Configuration：
Common Drain
Polarity：
N
VDS (V)：
20
10V：
14
4.5V：
15
2.5V：
20
1.8V：
28
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
8
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
16
VGS(th) max (V)：
1
Ciss (pF)：
1160
Coss (pF)：
232
Crss (pF)：
146
Qgd (nC)：
3.80
tD(on) (ns)：
6.20
tD(off) (ns)：
51.70
Trr (ns)：
20.20
Qrr (nC)：
8
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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