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AO8808A规格书详情
General Description
The AO8808A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. Standard Product AO8808A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8808AL is a Green Product ordering option. AO8808A and AO8808AL are electrically identical.
特性 Features
VDS (V) = 20V
ID = 7.9A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 14mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 15mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM
产品属性
- 型号：
AO8808A
- 功能描述：
MOSF 2N CH DL 20V 7.9A 8TSSOP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
*
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
22+ |
SOP |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ALPHA |
24+ |
NA/ |
5143 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
AOS/万代 |
25+ |
TSSOP-8 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
TSSOP8 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
AOS |
25+23+ |
TSSOP |
20567 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
AOS |
24+ |
TSSOP8 |
9800 |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
询价 | ||
AOS |
20+ |
TSSOP-8-3.0mm |
3000 |
询价 | |||
AOS/万代 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
24+ |
SOP-8 |
15000 |
询价 | ||||
AOS |
24+ |
TSSOP-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
