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AO8808AL
厂商型号

AO8808AL

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

112.45 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 17:42:00

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AO8808AL规格书详情

General Description

The AO8808A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. Standard Product AO8808A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8808AL is a Green Product ordering option. AO8808A and AO8808AL are electrically identical.

Features

VDS (V) = 20V

ID = 7.9A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 14mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 15mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

产品属性

  • 型号:

    AO8808AL

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全称:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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