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Marking:F14L;Package:SOT23-6;N P Channel MOSFET Features N-Ch: *VDS(V)=30V *ID=3.4A(VGS=10V) *RDS(ON)60m(VGS=10V) *RDS(ON)70m(VGS=4.5V) *RDS(ON)90m(VGS=2.5V) P-Ch: *VDS(V)=-30V *ID=-2.3A(VGS=-10V) *RDS(ON)115m(VGS=-10V) *RDS(ON)150m(VGS=-4.5V) *RDS(ON)200m(VGS=-2.5V) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | UMW | ||
Marking:F14LU;Package:SOT23-6;N P Channel MOSFET GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsformahigh-speedpower inverter,suitableforamultitudeofapplications. Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON) | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体 | EVVOSEMI |
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