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AO6601规格书详情
General Description
The AO6601 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The
complementary MOSFETs form a high-speed power
inverter, suitable for a multitude of applications.
特性 Features
N-Ch:
VDS (V)=30V
RDS(ON)< 60mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON)< 70mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON)< 90mΩ (VGS = 2.5V)
ID= 3.4A (VGS=10V)
P-Ch:
VDS (V)=-30V
RDS(ON)< 115mΩ (VGS = -10V)
RDS(ON)< 150mΩ (VGS = -4.5V)
RDS(ON)< 200mΩ (VGS = -2.5V)
ID=-2.3A (VGS=-10V)
产品属性
- 型号：
AO6601
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
23+ |
TSOP-6 |
210000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
AO |
25+ |
SOT163 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ALPHA |
2223+ |
SOT23-6 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
SOT23-6 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
ALPHA |
23+ |
SOT23-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
AOS(万代) |
23+ |
标准封装 |
20000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
AOS |
23+ |
TSOP-6 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
询价 | ||
AOS/万代 |
22+ |
TSOP-6L |
25000 |
AOS/万代全系列在售 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
TSOP6 |
24981 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
