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AO7417	文件：134.87 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO7417/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.5V, in the small SOT363 footprint. This device is suitable for use in buck convertor. AO7417 and AO7417L are electrically identical. -RoHS 文件：134.87 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO7417	文件：1.01676 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch for Portable Devices - Cellular Phone - DSC - Portable Game Console - MP3 - GPS 文件：1.01676 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO7417	文件：1.73086 Mbytes Page：4 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：1.73086 Mbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO7417	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 20V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO7417L	文件：134.87 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO7417/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.5V, in the small SOT363 footprint. This device is suitable for use in buck convertor. AO7417 and AO7417L are electrically identical. -RoHS 文件：134.87 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO7417_13	文件：1.73086 Mbytes Page：4 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：1.73086 Mbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SC70-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
4.5V：
80
2.5V：
100
1.8V：
125
1.5V：
150
ID @ 25°C (A)：
-1.90
PD @ 25°C (W)：
0.57
Qg (4.5V)(nC)：
8.50
VGS(th) max (V)：
-1
Ciss (pF)：
560
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
70
Qgd (nC)：
2.10
tD(on) (ns)：
7.20
tD(off) (ns)：
53
Trr (ns)：
37
Qrr (nC)：
27
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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